供應fairchild仙童光電產品

Fairchild是設計和光(guang)電(dian)(dian)(dian)器件的(de)企業。 我們(men)提供用于(yu)低帶寬/通用開關應(ying)(ying)用的(de)光(guang)電(dian)(dian)(dian)耦(ou)合器、用于(yu)高帶寬/高增益應(ying)(ying)用的(de)高光(guang)電(dian)(dian)(dian)耦(ou)合器、高壓光(guang)電(dian)(dian)(dian)耦(ou)合器、紅(hong)外(wai)元(yuan)器件以及具有*功(gong)能的(de)其他定制產品。

我們(men)廣泛(fan)的光(guang)電(dian)器(qi)件和光(guang)耦(ou)合器(qi)器(qi)件系(xi)列(lie)提供(gong)了多種輸(shu)入和輸(shu)出配(pei)置，可以降(jiang)低功耗并為(wei)您的設計提供(gong)的抗噪(zao)能力。

為什么選擇飛兆的光電器件
憑借Fairchild專有的(de)共面封裝(zhuang)技術Optoplanar®，我們的(de)高光(guang)耦(ou)合(he)器可(ke)提(ti)供的(de)抗噪能力。

憑借高速的速度傳輸速率，這些高電耦合器特別適合 
高速數據通信應用。
我們所有的光電產品均不含鉛(Pb)，并且符合RoHS標準。
此外，我們的產品還通過了主要安全監管機構的。
采用3.3V和5V的電源電壓。
帶寬能力zui高可達15Mbit/s。
達到或超過安全監管標準。
高隔離電壓，zui高可達5kV。
此外，為了滿足當今設計日益增長的需求，飛兆半導體提供可承受工作溫度高達+125
°C的光耦合器。 我們的4引腳整間距MFP和4引腳DIP、光電晶體管輸出光耦合器均具有
+110°C的額定zui高操作溫度。
有源米勒鉗位技術 Active Miller Clamp Technology
在IGBT的驅動設計中，特別是對中小功率的IGBT驅
動，工程師們更傾向于簡單的板布局和簡單的解
決方案，于是去掉驅動負電源成了很有吸引力的解
決方案，但是同時這個方案也帶來了定的問題。
如圖1所示的驅動，上橋和下橋的IGBT都使用
單電源供電。如圖2黑色波形所示，正常情況下，
兩個IGBT不會同時導通，柵電壓不會同時為高。
但是由于dv/dt的存在，IGBT關閉之后柵會出現
毛刺電壓,如圖2紅色波形所示。如圖3所示，讓我
們以Q2為例做更詳細的說明。Q2關閉之后，Q1開啟
，Q2的CE電壓將會升高，由于dv/dt很高，電流通
過Q2的Cgc流過限流電阻Rg和驅動的輸出阻抗，這
個電流我們稱為米勒電流。米勒電流的大小可以通
過如下公式(1)計算。
如果對速度的要求很高，dv/dt也會隨之增大
，那么米勒電流造成VGE2就會升高到Q2的閾值電壓
，造成Q1和Q2同時導通，這對于Q1和Q2都是非常危
險的，當(dang)然也會造(zao)成功耗(hao)的浪(lang)費。

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